来源
主要来源于：洋桃电子【关于MOS管的一切都在这里！MOS管和三极管的区别【极速入门数模电路P15】-哔哩哔哩】 https://b23.tv/X0D06D3
基础知识
这是一个二极管
当该二极管两端没有电压的时候，因为P带大量空穴会吸引电子，而N带大量电子会跑向P，所以在初次接触的时候N区域的电子会移动向P区域，直到空穴被填满出现绝缘区域，此时没有电流通过
如果在P接正电，N接负电，那么就是二极管导通
如果反接，那么绝缘区域就会扩大，二极管截止，也就是单向导电性
当用三个半导体的时候，因为两端同类半导体（比如两个N型或两个P型）的掺杂浓度不同，所以就能实现电流放大的作用（具体略）
1，通过电流有限：大电流必须通过两层PN结，这个过程会导致发热损耗，而且如果想要通过更大的电流，必定导致需要增大PN结的面积，最后导致整体器件变大（无法大规模集成生产）的同时发热损耗也变大
2，三极管是电流控制器件，（1）会消1耗电能；（2）在电压驱动的电路就无法通过电压来控制电路
结型场效应管JFET
尝试其他的掺杂，不行。因为这也会有电流通过，也会产生发热损耗，也会有所需电流过大时整体体积也随着变大的问题
所以，要实现的目标是——不要让电流通过PN结
所以解决方法是沿用单向导电性的思路，利用绝缘区夹断中间的导电区域。这样不仅不会有电流流过PN结，而且绝缘层的扩大过程中是使用电压来控制的，并没有电流产生
中间的N型半导体带有大量负电荷，本身就导电
J——PN结
JET——场效应管
之所以叫结型，是因为利用的是PN结来控制通断
之所以叫场效应，是因为用电场来控制的
至于是N型还是P型，看最终通过电流的那个导体是什么半导体
两个P型半导体的作用相同，所以直接相连
可以从图中看出来，D和S可以互换使用，所以两类的dgs顺序相同
都是从P指向N，结合栅极的位置一起判断
从下图栅极的位置看出，箭头从P指向N，所以箭头朝右边
同时注意N-JFET，是N型场效应管，所以这里的N型还是P型是根据最终通过电流的那个半导体来决定的
这里是N型半导体直接通过电流，所以是N型结型场效应管
绝缘栅型场效应管
增强型MOSFET场效应管
通过PN结来夹断电流，但是一旦电压小了，就会出现夹不紧的问题，会导致有小电流通过
解决思路在于，既然电压难以控制，那么就设置理想状态为
1，初始状态下无电压，此时处于完全的断开状态，没有电流通过
2，加电压之后，开始导通
利用电容的原理即可以实现，当有电压的时候，可以吸引或排斥电子，构建出一个带单一极性的区域。利用这个区域作为一个桥梁，连接起两端与之相同极性的半导体即构成了一个完整的导电通路。当没电压的时候，该区域就不会形成，桥梁也就自然断开，实现完全的断开
如图，构建出电容的形式，下方的金属极板被P型半导体代替了
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因为使用P型半导体，所以两端就是N型半导体，带负电，所以需要吸引电子，利用电子来连接两边的N型半导体实现导电，所以在正极层接正电压
由此可以看出正极层是控制区域，所以它作为栅极G，作为控制端
因为两端都是N型半导体可以互换使用，
（1）为了进行区分同时指示出潜在的寄生二极管
（2）为了指示出S
（3）为了方便说明栅极电压需要在什么时候才能令该MOS管导通
如果S和B连接，那么只需要G端输入正电压使得Vgs＞Vth。
正电压即与S端相比较的相对电压
Vth是阈值电压，是 MOS管（如NMOS/PMOS）开始形成导电沟道所需的最小栅源电压Vgs
所以将S和B进行连接
如图虽然两个MOS管的ds的位置不同，但都是S和B连接的对应S
栅极的那个横线也靠近S
Vth是阈值电压，是 MOS管（如NMOS/PMOS）开始形成导电沟道所需的最小栅源电压
如果在G端加入的电压过大，那么很有可能会把绝缘层击穿，损坏MOS管
如图，如果没有这个10kΩ的偏置电阻进行电荷的释放，那么按键按下的时候直接电路短路，而且Vg和Vs的极性也相同，NMOS管截止
另外这个电阻可以防止G端悬空
如果没有这个电阻，那么G端悬空，那么人体摩擦或环境感应可能产生几千伏的静电电压（但能量很小）到栅极，虽然栅极直接和电源负极相连，但是导线中一定会存在微小的电感阻碍放电（静电放电（ESD）是纳秒级事件，属于高频），这一阻碍就有可能导致MOS管被击穿。
浮空栅极的电压受环境影响（如附近的电场、PCB 走线耦合的噪声），可能导致 MOS 管意外导通或关闭，造成电路逻辑错误。
增强型MOSFET场效应管，简称为MOS管
FET表示场效应管
根据上面d N型或P型命名：N型还是P型是根据最终通过电流的那个半导体来决定的
所以左边的最终是吸引电子上去进行连接，对应N沟道的极性，将两个N沟道进行连通，所以是NMOS管，右边同理。
根据d N型或P型箭头指向：都是从P指向N
再结合栅极G的位置，所以需要把原来的图片逆时针旋转90度
很容易看出左边的形成N通道，栅极在左边，所以是箭头朝左
右边的形成P沟道，栅极在左边，所以是箭头朝右
如上图虽然两个MOS管的ds的位置不同，但都是S和B连接的对应S
栅极的那个横线也靠近S
耗尽型MOSFET场效应管
不同点在于，在绝缘层就实现掺杂少量电荷（NMOS管掺杂正电荷，PMOS管掺杂负电荷），使得在栅极没有电压的时候也能形成导通区域
FET场效应管总结
MOS管的电路连接
如图在P型半导体和d对应的N型半导体处，会自然形成一个寄生二极管
这个二极管就导致了NMOS管的电流流向一定是从D流向S（PMOS管同样分析，但是是不能从S流向D）
如果电流从D流向S，那么该寄生二极管就会反向截止，不会产生影响
如果电流从S流向D，那么电流就会通过S和B的连接直接从该寄生二极管流过，此时栅极g的电压控制就没有任何作用了
所以MOS管的D和S不能像结型场效应管JFET一样随意调换使用，因为导通方向固定
这里解释为什么PMOS管为什么要把S放到上面，因为默认电流从上往下流
NMOS管只能从D流向S，而PMOS管只能从S流向D，所以将S画在上方和NMOS的刚好相反
为什么是和S端比较？因为S和衬底B相连，衬底就是P型半导体
这里的导通条件其实还有些问题，正电压没错，但是如果这个正电压太小了就不会形成一个可以用的导电沟道，必然存在一个最小的Vgs使得该导电沟道刚好够用
这个就是Vth阈值电压： MOS管（如NMOS/PMOS）开始形成导电沟道所需的最小栅源电压
按下按键LED亮，松开LED灭
10kΩ电阻的作用
如图，如果没有这个10kΩ的偏置电阻进行电荷的释放，那么按键按下的时候直接电路短路，而且Vg和Vs的极性也相同，NMOS管截止
另外这个电阻可以防止G端悬空
如果没有这个电阻，那么G端悬空，那么人体摩擦或环境感应可能产生几千伏的静电电压（但能量很小）到栅极，虽然栅极直接和电源负极相连，但是导线中一定会存在微小的电感阻碍放电（静电放电（ESD）是纳秒级事件，属于高频），这一阻碍就有可能导致MOS管被击穿。
电动机，电磁铁这些都是电感器件，这就意味着会有反向电流产生，所以这个时候MOS管上面的寄生二极管就充当了续流二极管的作用，保护MOS管不被反向电流给损坏